IBMとSamsungが革新的な技術を発表 スマホの充電は週1で済むかもしれない

IBMとSamsungが革新的な技術を発表 スマホの充電は週1で済むかもしれない

 

 IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」 – ITmedia NEWS
https://www.itmedia.co.jp/news/articles/2112/16/news071.html

 

VTFET(左)とFET(右)の設計と電流の流れの比較図

 

 米IBMは12月14日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」(VTFET)と呼ぶ新たな設計アプローチで、2021年には崩れると見られていたムーアの法則を今後何年にもわたって維持できるようになる可能性があるとしている。

VTFETは、ウェハの表面にトランジスタを重ねるfinFETなどと異なり、トランジスタをウェハに垂直に層状に重ね、電流をウェハ表面に垂直に流す設計。この構造で、トランジスタのゲート長、スペーサーの厚さ、接点サイズの物理的制約を緩和できるとしている。FinFET設計と比較して、「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85%削減する」という。

同社はVTFETを紹介する動画で、例えばスマートフォンのバッテリーは1回の充電で1週間以上もつようになり、宇宙船や自動運転自動車、海洋ブイなどのIoTデバイスもこの設計の恩恵を受ける可能性があると語った。

(略)

※省略していますので全文はソース元を参照して下さい。

引用元: ・【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」 [少考さん★]

3
新構造のトランジスタがなんでバッテリを長持ちさせるのかよくわからん。待機電流減らすってこと?

6
スマホの電力って、主に画面と無線に食われてるよね
CPUの消費電力がゼロになっても一週間も電池持つとは思えないんだが

7
電力の多くを画面が占めてるとかなかったっけ

11
日本の役目は終わった

13
昔と違っていまのスマホは無線通信の消費電力よりディスプレイの消費電力のほうが大きいからな

18
ネトウヨ怒りの毎日充電

19
兄さんすげえ!

21

実用化は?

22
※数年後になりそう

論文でおわるパチーンぽい

23
法則発動ですね

24
図を見てもさっぱりわからない
どこがSDG”s”で、スペーサーで、接点なのだろうか

27
>>24
持続可能な試作段階

26
実用化されない定期

28
動画を見てわかったけど、青いところがGらしい
自分の知識ではGはチャネルの横に取り付いて制御するものだと思っていたけど
SとDの間に挟みこんでもFETとして機能するらしい

34
>>28
まだ読めてないから、読めよバカって言われるかもしれないけど
トレンチ構造とはまた違うってこと?

29
もう技術力で日本は全く追いつけなくなった・・・。
orz

31
>>29
日本は斜めで勝利する…!!

32
ムーアさん長生きだね

33
元東芝の研究者が研究してたやつだな?
また金で技術売ったのか?

36
平屋が2階建てに成った感じか?

38
半導体の製造装置は、欧米・日本がほぼ独占なんだろ。
経済安全保障を、欧米や日本が強化してるからね。
半導体の勢力図は、かなり変わるだろ。

39
>>38
そんな複雑でもなくてオランダのASMLがほぼ100%独占って言っていい状態になっているよ
だからその次の企業群の中には中国からの出資を受け入れている企業も

40
>>39
露光装置だけじゃないので…
とは言え安心できるものでもないが

42
>>40
中国のしたたかさはすごいよね。
関連技術を少しずつ広げていく、そしてボリュームで市場を席巻する。
そうなると次世代技術開発にも有利になる。

41
ガンダムに例えてくれ、勿論
ファーストガンダムで!(-_-#)

43
>>41
マグネットコーティングでぐぐれ

44
スマホの一番の癌は表示装置だからなあ
SE2でさえ待受専用なら六日弱持つ

46
これはゲームチェンジャーになるな(言いたいだけ)

47
>2021年には崩れると見られていたムーアの法則
何故ここに誰も突っ込まないのか疑問

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