サムスン電子、３ｎｍ半導体の量産開始－台湾対韓国対中国の半導体戦争が始まった

→ＧＡＡ構造のトランジスタ採用、５ｎｍから性能23％向上
→半導体受託生産でトップのＴＳＭＣ追撃に弾み

韓国のサムスン電子は30日、３ナノメートル（ｎｍ）半導体の量産を開始したと発表した。最先端の半導体製造を競い合う台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）に先行した。

　　サムスンの資料によれば、同社の３ｎｍ製品はいわゆる「全周ゲート型（ＧＡＡ）」構造のトランジスタを採用することで、５ｎｍ半導体と比べ電力消費を最大45％減らし、性能を23％向上させた。

サムスン電子の３ｎｍ半導体Source: Samsung Electronics Co.

　　サムスンにとって他社に先駆け３ｎｍ半導体を市場投入することは、半導体ファウンドリー（受託生産）最大手のＴＳＭＣを追撃する上で極めて重要な意味を持つ。

　　ＴＳＭＣの半導体ファウンドリー市場シェアは５割を超え、米アップルが独自開発したプロセッサー、いわゆる「アップルシリコン」を独占供給。「ｉＰｈｏｎｅ（アイフォーン）」「ｉＰａｄ（アイパッド）」「Ｍａｃ（マック）」でこうしたプロセッサーが使われている。

　　ＴＳＭＣは今年７－12月（下期）に３ｎｍ半導体の量産を開始すると発表している。サムスンは韓国京畿道華城市の工場で３ｎｍ半導体を生産し、後に平沢市の最新施設でも製造する計画。

サムスン電子の生産施設（華城市）Photographer: SeongJoon Cho/Bloomberg

原題：Samsung Is First to Start Mass Production of 3nm Chips　（抜粋）
https://www.bloomberg.com/news/articles/2022-06-30/samsung-is-first-to-start-mass-production-of-3nm-chips

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Bloomberg
https://www.bloomberg.co.jp/news/articles/2022-06-30/RE9POOT0G1L001